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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜
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| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孙莉莉; 张韵; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
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| 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 闫建昌; 王军喜; 张韵; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 田迎冬; 李晋闽
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| 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人: 曾建平; 闫建昌; 王军喜; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 李晋闽
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| 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 董鹏; 王军喜; 闫建昌; 张韵; 曾建平; 孙莉莉; 李晋闽
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