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| 一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 陈弘达; 黄北举 ; 张 旭
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| SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人: 陈弘达; 黄北举; 董 赞
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| 双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 刘海军; 顾明
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| 三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 刘金彬; 顾明; 刘海军
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| CMOS硅发光二极管驱动电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 刘海军; 黄北举
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| 采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 刘海军; 黄北举
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| 多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 顾明; 刘海军
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| 采用T型电容网络反馈结构的CMOS生理信号放大器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 陈弘达; 张旭; 裴为华; 黄北举
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| 一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 黄北举; 程传同; 张赞; 张赞允; 陈弘达
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| 采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 黄北举; 张赞; 张赞允; 程传同; 毛旭瑞; 陈弘达
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