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一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  陈弘达;  黄北举;  张 旭 
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SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  陈弘达;  黄北举;  董 赞 
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高速CMOS光接收机与硅基光电子集成回路研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  黄北举
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Implantable Microsystem for Wireless Neural Recording Applications 会议论文
2009 ICME INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPLEX MEDICAL ENGINEERING, Tempe, AZ, APR 09-11, 2009
作者:  Zhang X (Zhang Xu);  Pei WH (Pei Weihua);  Huang BJ (Huang Beiju);  Chen J (Chen Jin);  Guan N (Guan Ning);  Chen HD (Chen Hongda);  Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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System  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang Beiju;  Zhang Xu;  Chen Hongda
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双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  黄北举;  刘海军;  顾明
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三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  黄北举;  刘金彬;  顾明;  刘海军
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Neuro-Stimulus Chip with Photodiodes Array for Sub-retinal Implants 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Zhang X;  Pei WH;  Huang BJ;  Chen HD;  Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Retinal Prosthetic Device  
Monolithic Integration of Light Emitting Diodes, Photodetector and Receiver Circuit in Standard CMOS Technology 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Huang BJ;  Xu Zhang;  Zan Dong;  Wei Wang;  Chen HD;  Huang, BJ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(4242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/266  |  提交时间:2010/03/09
Silicon  
CMOS硅发光二极管驱动电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1026/151  |  提交时间:2009/06/11