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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞 ; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽
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| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Z (Liu Zhe); Wang XL (Wang Xiaoliang); Wang JX (Wang Junxi); Hu GX (Hu Guoxin); Guo LC (Guo Lunchun); Li JP (Li Jianping); Li JM (Li Jinmin); Zeng YP (Zeng Yiping); Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Z (Liu Zhe); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Wang JX (Wang Jun-Xi); Hu GX (Hu Guo-Xin); Guo LC (Guo Lun-Chun); Li JM (Li Jin-Min); Liu, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuzhe@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB (Wei Tongbo); Wang JX (Wang Junxi); Li JM (Li Jinmin); Liu Z (Liu Zhe); Duan RF (Duan Ruifei); Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@mail.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏同波; 王军喜; 刘喆; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei Tongbo; Ma Ping; Duan Ruifei; Wang Junxi; Li Jinmin; Liu Zhe; Lin Guoqiang; Zeng Yiping
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
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| Si 基GaN 材料生长和LEDs 结构研制以及HVPE 生长厚膜GaN 的初步研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 刘喆
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