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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞 ; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽
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| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB (Wei Tongbo); Wang JX (Wang Junxi); Li JM (Li Jinmin); Liu Z (Liu Zhe); Duan RF (Duan Ruifei); Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@mail.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏同波; 王军喜; 刘喆; 李晋闽
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
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| Si 基GaN 材料生长和LEDs 结构研制以及HVPE 生长厚膜GaN 的初步研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 刘喆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘喆; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨霏; 陈诺夫; 张兴旺; 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 侯哲哲; 马辉; 尹志刚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周伟; 梁基本; 徐波; 龚谦; 李含轩; 刘峰奇; 姜卫红; 江潮; 许怀哲; 丁鼎; 张金福; 王占国
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