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电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:  纪 刚;  孙国胜;  宁 瑾;  刘兴昉;  赵永梅;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  李晋闽
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碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  赵永梅;  宁 瑾;  孙国胜;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平 
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多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  王 亮;  宁 瑾;  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  赵永梅;  刘兴昉 
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氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Liang;  Zhao Yongmei;  Ning Jin;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Yongmei;  Sun Guosheng;  Ning Jin;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Wang Lei;  Li Jinmin
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Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF;  Sun GS;  Li JM;  Ning J;  Luo MC;  Wang L;  Zhao WS;  Zeng YP;  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuxf@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  NING Jin;  GAO Xin;  GONG Quancheng;  WANG Lei;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI Jinmin
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