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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Pengfei;   Wei, Zhenyu;   Jia, Lu;   Zhao, Yongmei;   Han, Guowei;   Si, Chaowei;   Ning, Jin;   Yang, Fuhua
Adobe PDF(5513Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/03/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Bai-Qiang, Zheng Zhong-Shan, Yu Fang, Ning Jin, Tang Hai-Ma, Yang Zhi-An
Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：390/113  |  提交时间：2014/04/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhong Weiwei;  Han Guowei;  Si Chaowei;  Ning Jin;  Yang Fuhua
Adobe PDF(1921Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：873/120  |  提交时间：2014/05/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Guowei;  Si, Chaowei;  Ning, Jin;  Zhong, Weiwei;  Sun, Guosheng;  Zhao, Yongmei;  Yang, Fuhua
Adobe PDF(818Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：579/130  |  提交时间：2014/04/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Yongmei;  Ning, Jin;  Han, Guowei;  Si, Chaowei;  Zhao, Y.(ymzhao@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1051/250  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Yang T (Yang Ting);  Wu HL (Wu Hai-Lei);  Yan GG (Yan Guo-Guo);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Ning J (Ning Jin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li JM (Li Jin-Min)
Adobe PDF(185Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1067/314  |  提交时间：2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Liang;  Zhao Yongmei;  Ning Jin;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
Adobe PDF(610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：883/303  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Yongmei;  Sun Guosheng;  Ning Jin;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Wang Lei;  Li Jinmin
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1156/297  |  提交时间：2010/11/23
Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1380/222  |  提交时间：2010/03/29
Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(981Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1289/203  |  提交时间：2010/03/29
Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes