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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏少坚,成步文,薛春来,张东亮,张广泽,王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏少坚 ; 汪巍; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 薛海韵; 苏少坚; 白安琪; 罗丽萍; 俞育德; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏少坚; 汪巍; 胡炜玄; 张广泽; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai AQ; Hu D; Ding WC; Su SJ; Hu WX; Xue CL; Fan ZC; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn; cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 白安琪; 胡迪; 丁武昌; 苏少坚; 胡炜玄; 薛春来; 樊中朝; 成步文; 俞育德; 王启明
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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