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GaN 基纳米结构LED 的制作及测试分析研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  朱继红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu JH;  Wang LJ;  Zhang SM;  Wang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Jiang DS;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu JH;  Zhang SM;  Wang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Jiang DS;  Qiu YX;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu JH (Zhu Jihong);  Wang LJ (Wang Liangji);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang H (Wang Hui);  Zhao DG (Zhao Degang);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Jiang DS (Jiang Desheng);  Yang H (Yang Hui);  Zhu, JH, Chinese AcadSci, State Key Lab Integrated Optoelect, InstSemicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LJ;  Zhang SM;  Zhu JH;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Jiang DS;  Wang YT;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: smzhang@red.semi.ac.cn
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具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱继红;  张书明;  朱建军
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