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一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  姚飞;  薛春来;  成步文;  王启明
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer 会议论文
2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Sorrento, ITALY, SEP 17-19, 2008
作者:  Cheng BW;  Xue HY;  Hu D;  Han GQ;  Zeng YG;  Bai AQ;  Xue CL;  Luo LP;  Zuo YH;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Sige/si(100) Epitaxial-films