中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1496/217  |  提交时间：2011/08/30
一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1157/164  |  提交时间：2011/08/30
共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马志华;  左玉华;  薛春来;  成步文;  王启明;  郑世雄
Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1398/231  |  提交时间：2012/09/09
在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1338/110  |  提交时间：2011/08/30