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制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
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SiGe/Si 射频功率HBT 器件的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  薛春来
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姚飞;  薛春来;  成步文;  王启明
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