中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
长波长InAs/GaAs量子点的MOCVD生长及激光器制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  梁松
Adobe PDF(3529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1153/80  |  提交时间：2009/04/13
模式相干的双模半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王列松;  赵玲娟;  王圩;  朱洪亮;  潘教青;  梁松
Adobe PDF(760Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1480/227  |  提交时间：2009/06/11
利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  侯康平;  杨华;  梁松;  王圩
Adobe PDF(666Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1138/174  |  提交时间：2009/06/11
偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁松;  朱洪亮
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1036/162  |  提交时间：2009/06/11
无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁松;  朱洪亮
Adobe PDF(563Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1217/190  |  提交时间：2009/06/11
长波长InAs/GaAs 量子点的MOCVD 生长及激光器制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  梁松
Adobe PDF(3529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：765/38  |  提交时间：2009/04/13