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一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  张兴旺;  蔡培锋;  游经碧;  范亚明;  高 云;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Y;  Zhang XW;  Yin ZG;  Qu S;  You JB;  Chen NF;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Zhang SG;  Tan HR;  Ying J;  Yin ZG;  Zhu QS;  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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金属表面等离激元增强ZnO 紫外发射研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  游经碧
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