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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang JL (Huang Jian-Liang); Wei Y (Wei Yang); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Yang T (Yang Tao); Chen LH (Chen Liang-Hui); Wei, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄建亮 ; 卫炀; 马文全; 杨涛; 陈良惠
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| 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
发明人: 杨 涛; 季海铭
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ji HM; Cao YL; Yang T; Ma WQ; Cao Q; Chen LH; Ji HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 季海铭; 曹玉莲; 杨涛; 马文全; 曹青; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马文全; 杨晓杰; 种明; 苏艳梅; 杨涛; 陈良惠; 邵军; 吕翔
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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 汪明; 杨涛
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| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨晓光; 杨涛
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| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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