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| 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵有文; 董志远; 段满龙; 魏学成
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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽
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| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 张宁; 魏学成; 刘桂鹏; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
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| 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
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| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 王莉; 孔庆峰; 卢鹏志; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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