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| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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| 一种紫外红外双色探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183403.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 王辉; 江德生; 杨辉
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 测量肖特基势垒高度的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 陈平; 江德生
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| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 一种测量直接带隙半导体材料禁带宽度的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20
发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 陈平; 江德生
Adobe PDF(866Kb) | 收藏 | 浏览/下载：638/71 | 提交时间：2014/10/24 |
| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
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