|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源 ; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国
 Adobe PDF(733Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1175/259 | 提交时间：2011/08/16 |
| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
Adobe PDF(330Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1372/249 | 提交时间：2010/03/19 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(1109Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1220/206 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(378Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1258/262 | 提交时间：2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(580Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1041/184 | 提交时间：2012/09/09 |
