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| 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 谈笑天; 郑厚植; 刘 剑; 杨富华
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| 对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 赵建华; 姬 扬; 郑厚植; 杨 威; 鲁 军
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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉
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| 测量电致自旋荧光的显微测量系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 4013
发明人: 肖文波; 郑厚植
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 光学自旋注入方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 张 飞; 郑厚植; 肖文波; 谈笑天; 孙晓明; 吴 昊; 朱 科; 罗 晶
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| MDMO-PPV包裹PbS量子点和纳米棒材料及电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人: 王智杰
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| 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙
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