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| 电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉 ; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 减小温度梯度的激光晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人: 李晋闽; 林学春; 熊 波; 侯 玮; 郭 林; 赵鹏飞; 韩泽华; 李瑞贤
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| 碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 赵永梅; 宁 瑾; 孙国胜; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 王 亮; 王 雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li T; Zhao SZ; Zuo Z; Wang YG; Li GQ; Zhao SZ Shandong Univ Sch Informat Sci & Engn Jinan 250100 Shandong Peoples R China. E-mail Address: shengzhi_zhao@sdu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li H; Wang Z; Zhou K; Pang JB; Ke JY; Zhao YW; Wang Z Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. E-mail Address: wangz@whu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC; Li MC Harbin Inst Technol Sch Mat Sci & Engn POB 405 Harbin 150001 Peoples R China. E-mail Address: mcli@hit.edu.cn
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| Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者: Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP; Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide Aluminum Nitride Buffer Layer Lpcvd |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu YG; Zhang XH; Li T; Chen L; Lu J; Zhao JH; Zhang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xinhuiz@semi.ac.cn
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