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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X. L. HU; L. B. SUN; BEIBEI ZENG; L. S. WANG; Z. G. YU; S. A. BAI; S. M. YANG; L. X. ZHAO; Q. LI; M. QIU; R. Z. TAI; H. J. FECHT; J. Z. JIANG; D. X. ZHANG
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu, Yang; Zhao, Jia; Yuan, Cadmus Chang-Ann; Zhang, Guoqi Q; Sun, Fenglian
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| 倒装高压发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人: 郭金霞; 田婷; 赵勇兵; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 一种交流发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人: 田婷; 赵勇兵; 詹腾; 郭金霞; 伊晓燕; 刘志强; 李璟; 王国宏
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| 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 王莉; 孔庆峰; 卢鹏志; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 纳米氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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