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HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张宇;  王国伟;  汤宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川;  陈良惠
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带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人:  张宇;  邢军亮;  徐应强;  任正伟;  牛智川
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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