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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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85
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提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:
石明吉
;
曾湘波
;
张长沙
;
刘石勇
;
彭文博
;
肖海波
Adobe PDF(581Kb)
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浏览/下载:1806/221
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提交时间:2010/08/12
边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:
陆全勇
;
张 伟
;
王利军
;
高 瑜
;
尹 雯
;
张全德
;
刘万峰
;
刘峰奇
;
王占国
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浏览/下载:1522/305
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提交时间:2010/08/12
有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:
张长沙
;
王占国
;
石明吉
;
彭文博
;
刘石勇
;
肖海波
;
廖显伯
;
孔光临
;
曾湘波
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浏览/下载:1434/263
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提交时间:2010/03/19
一种氮化物薄膜外延生长的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张 扬
;
张会肖
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
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浏览/下载:1349/265
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提交时间:2010/03/19
生长氧化锌纳米棒阵列的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:
范海波
;
杨少延
;
张攀峰
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:1326/249
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提交时间:2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
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浏览/下载:1531/269
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提交时间:2009/06/11
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高永海
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JY (Zhang Jiang-Yong)
;
Cai LE (Cai Li-E)
;
Zhang BP (Zhang Bao-Ping)
;
Hu XL (Hu Xiao-Long)
;
Jiang F (Jiang Fang)
;
Yu JZ (Yu Jin-Zhong)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
;
Zhang, JY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn
;
qmwang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu QY (Lu, Quan-Yong)
;
Zhang W (Zhang, Wei)
;
Wang LJ (Wang, Li-Jun)
;
Liu JQ (Liu, Jun-Qi)
;
Li L (Li, Lu)
;
Liu FQ (Liu, Feng-Qi)
;
Wang ZG (Wang, Zhan-Guo)
;
Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
邢海英
;
范广涵
;
章勇
;
赵德刚
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提交时间:2010/11/23