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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
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| 一种恒温装置及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张日清; 刘祥林; 杨少延; 张晓沛; 董向芸
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张杨; 刘剑; 李艳; 杨富华
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu NH; Li W; Wang LX; Chen SF; Ke JH; Zhang YL; Wen JM; Liu Y; Wang X; Yan HQ; Xie L; Zhu NH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoclect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn; liwei05@semi.ac.cn; lxwang@semi.ac.cn; sfchen@semi.ac.cn; jhke@semi.ac.cn; ylzhang@semi.ac.cn; jmwen@semi.ac.cn; yliu@semi.ac.cn; wxin@semi.ac.cn; Xiel@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Dong JJ; Song XM; Yin ZG; Chen NF; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lilisuny@sohu.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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