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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
杨翠柏
;
肖红领
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JY (Zhang Jiang-Yong)
;
Cai LE (Cai Li-E)
;
Zhang BP (Zhang Bao-Ping)
;
Hu XL (Hu Xiao-Long)
;
Jiang F (Jiang Fang)
;
Yu JZ (Yu Jin-Zhong)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
;
Zhang, JY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn
;
qmwang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1021/314
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ML
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Tang J
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Hu GX
;
Ran JX
;
Wang MG
;
Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, JQ (Liu, J. Q.)
;
Wang, JF (Wang, J. F.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Guo, X (Guo, X.)
;
Huang, K (Huang, K.)
;
Zhang, YM (Zhang, Y. M.)
;
Hu, XJ (Hu, X. J.)
;
Xu, Y (Xu, Y.)
;
Xu, K (Xu, K.)
;
Huang, XH (Huang, X. H.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: kxu2006@sinano.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang Tao
;
Liu Yi-Bao
;
Yang Bo
;
Wu He-Xi
;
Gu Jin-Hu
;
Yu Jin-Zhong
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:849/239
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
吴远大
;
安俊明
;
李建光
;
王玥
;
尹小杰
;
张家顺
;
王红杰
;
胡雄伟
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浏览/下载:1017/341
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提交时间:2010/11/23
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1414/246
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提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
胡国新
;
杨翠柏
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1299/200
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, Y
;
Wu, YD
;
Zhang, JS
;
Hu, XW
;
Wang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wy1022@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts