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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang PF (Zhang, P. F.);  Liu XL (Liu, X. L.);  Wei HY (Wei, H. Y.);  Fan HB (Fan, H. B.);  Liang ZM (Liang, Z. M.);  Jin P (Jin, P.);  Yang SY (Yang, S. Y.);  Jiao CM (Jiao, C. M.);  Zhu QS (Zhu, Q. S.);  Wang ZG (Wang, Z. G.);  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn;  ji_ym@mail.sic.ac.cn;  zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu YH (Zhu Y. H.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhu, YH, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhuyh@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang X. W.);  Zhu YH (Zhu Y. H.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou SQ (Zhou Shengqiang);  Wu MF (Wu M. F.);  Yao SD (Yao S. D.);  Zhang BS (Zhang B. S.);  Yang H (Yang H.);  Zhou, SQ, Forschungszentrum Rossendorf EV, POB 51 01 19, D-01314 Dresden, Germany. E-mail: zhousq2000@yahoo.com;  sdyao@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang X. W.);  Zhu YH (Zhu Y. H.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhang, XW, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C (Zhao C.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Zhao M (Zhao Man);  Zhang CL (Zhang C. L.);  Xu B (Xu B.);  Yu LK (Yu L. K.);  Sun J (Sun J.);  Lei W (Lei W.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: czhao@semi.ac.cn
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gainnas/gaas Quantum Wells  Optical Properties  Nonradiative Recombination Effect  Time-resolved Photoluminescence  Pl Decay Dynamics  Pl Thermal Quenching  Molecular-beam Epitaxy  Gaasn Alloys  Excitation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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