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| 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 谈笑天; 郑厚植; 刘 剑; 杨富华
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| 适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 杨晋玲; 周美强; 周 威; 唐龙娟; 朱银芳; 杨富华
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| 基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人: 戴 扬; 杜 睿; 杨富华
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| 一种近红外单光子探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 曹延名; 吴 孟; 杨富华
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| 共振隧穿二极管D触发器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997
发明人: 杜 睿; 杨富华
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| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张杨; 刘剑 ; 李艳; 杨富华
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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| 一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓东; 季安; 邢波; 杨富华
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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| 光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈海波; 李兆峰; 陈建军; 杨富华; 封松林; 郑厚植
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