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硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨巧林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, Qiao-Lin;   Deng, Hui-Xiong;   Wei, Su-Huai;   Luo, Jun-Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Jing;   Hao, Hui Ming;   Liu, Yu;   Zhang, Yang;   Zeng, Xiao Lin;   Zhu, Shen Bo;   Niu, Zhi Chuan;   Ni, Hai Qiao;   Chen, Yong Hai
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