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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Zhang JY; Wang XF; Wang XD; Fan ZC; Li Y ; Ji A; Yang FH; Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jyzhang08@semi.ac.cn; wangxiaofeng@semi.ac.cn; fhyang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan; Ji An; Yang Fuhua
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| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 张杨; 刘剑; 李艳; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Liu Y; Li Y; Fan ZC; Xing B; Yu YD; Yu JZ; Liu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liuyan@semi.ac.cn
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| PECVD和ICP刻蚀技术及应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors: 李艳
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Zhou W; Yang JL; Li Y; Ji A; Yang FH; Yu YD; Yang JL Chinese Acad Sci Inst Semicond Qinghua Donglu A 35 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jlyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Tang Longjuan; Zhu Yinfang; Yang Jinling; Li Yan; Zhou Wei; Xie Jing; Liu Yunfei; Yang Fuhua
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Li Yan; Wang Xiaofeng; Zhang Jiayong; Wang Xiaodong; Fan Zhongchao; Yang Fuhua
Adobe PDF(836Kb) | Favorite | View/Download：1098/285 | Submit date：2010/11/23 |
| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳
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| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华
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