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带位置稳定结构的针状神经微电极 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈弘达;  朱琳;  张旭;  郭凯;  王淑静;  陈海峰
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  焦玉恒;  吴巨;  徐波;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, BL;  Zhao, XZ;  Xu, S;  Su, FH;  Li, GH;  Wu, XG;  Wu, J;  Wu, R;  Liu, J;  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Province Ceram, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XQ;  Liu, XL;  Han, XX;  Yuan, HR;  Wang, J;  Guo, Y;  Song, HP;  Zheng, GL;  Wei, HY;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, C;  Lei, W;  Sun, J;  Hu, LJ;  Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DY;  Wei DY;  Xu J;  Han PG;  Wang X;  Ma ZY;  Chen KJ;  Shi WH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: junxu@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DY;  Wang X;  Wei DY;  Wang T;  Xu J;  Ma ZY;  Li W;  Chen KJ;  Shi WH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: junxu@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z. M. Wang;  G. J. Salamo
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