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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen W; Zhu NH; Man JW ; Xiong S; Xie L; Chen W Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wchen@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴燕; 黄胜利; 朱贤方; 李论雄; 王占国; 王连洲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈方雄; 林敏; 石寅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu, D; Wang, H; Wu, B; Ni, H; Huang, S; Xiong, Y; Wang, P; Han, Q; Niu, Z; Tangring, I; Wang, SM; Wu, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 孟焘; 李论雄; 王占国; 朱贤方
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈方雄; 林敏; 陈备; 贾海珑; 石寅; 代伐
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 陈慧娟; 彭震宇; 鲁正雄; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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