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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: An JM (An Junming); Wu YD (Wu Yuanda); Wang HJ (Wang Hongjie); Li JG (Li Jianguang); Xing B (Xing Bo); Hu XW (Hu Xiongwei); An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. E-mail: junming@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄辉; 王兴妍; 王琦; 黄永清; 任晓敏; 高俊华; 张胜利; 刘宇 ; 祝宁华; 马骁宇; 杨晓红; 吴荣汉
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| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴根柱; 杜宝勋; 杨进华; 任大翠; 张兴德
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴根柱; 张子莹; 任大翠; 张兴德
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈诺夫; 修慧欣; 杨君玲; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
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| 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 钟兴儒; 徐自亮; 田金法; 吴金良; 陈诺夫
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| 下开平动式直拉单晶炉 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 钟兴儒; 田金法; 吴金良; 林兰英; 陈诺夫
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