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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao DG ; Jiang DS; Zhu JJ; Guo X; Liu ZS; Zhang SM; Wang YT; Yang H; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Tao; Liu Yi-Bao; Yang Bo; Wu He-Xi; Gu Jin-Hu; Yu Jin-Zhong; Wang Qi-Ming
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 石小溪; 赵国忠; 张存林; 崔利杰; 曾一平
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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽
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| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘喆; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 卢励吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张国强; 刘忠立; 李宁; 范楷; 郑中山; 张恩霞; 易万兵; 陈猛; 王曦
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郑中山; 刘忠立; 张国强; 李宁; 范楷; 张恩霞; 易万兵; 陈猛; 王曦
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