SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共38条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  付秋瑜;  林清宇;  张万成;  吴南健
Adobe PDF(1383Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1463/666  |  提交时间:2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JR (Liang Ji-ran);  Hu M (Hu Ming);  Wang XD (Wang Xiao-dong);  Li GK (Li Gui-ke);  Kan Q (Kan Qiang);  Ji A (Ji An);  Yang FH (Yang Fu-hua);  Liu J (Liu Jian);  Wu NJ (Wu Nan-jian);  Chen HD (Chen Hong-da);  Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn
Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1271/322  |  提交时间:2010/04/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李元金;  张万成;  吴南健
Adobe PDF(1469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1163/297  |  提交时间:2011/08/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  王晓东;  李贵柯;  阚强;  季安;  杨富华;  刘剑;  吴南健;  陈弘达
Adobe PDF(554Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/504  |  提交时间:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  王晓东;  李贵柯;  季安;  杨富华;  刘剑;  吴南健;  陈弘达
Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1538/520  |  提交时间:2010/11/23
一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健;  杨志超
Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1019/163  |  提交时间:2009/06/11
一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健
Adobe PDF(371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:937/149  |  提交时间:2009/06/11
一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香;  吴南健
Adobe PDF(1822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1099/118  |  提交时间:2009/06/11
一种温度开关 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李昀龙;  吴南健
Adobe PDF(796Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:867/122  |  提交时间:2009/06/11
具有温度补偿效应的环路压控振荡器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邝小飞;  吴南健;  王海永
Adobe PDF(557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1155/158  |  提交时间:2009/06/11