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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  赵永梅;  杨香;  季安;  张明亮;  韩国威;  宁瑾;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(686Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：727/92  |  提交时间：2014/11/05