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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:半导体材料科学中心
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期刊论文
作者:
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
;
Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, daven@semi.ac.cn
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi, Yang
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
;
Peng, Enchao
;
Lin, Defeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan,
;
Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
;
Peng, EnChao
;
Lin, DeFeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, LiJuan,
;
Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan X
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Yin HB
;
Chen H
;
Pan, X (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, xpan@semi.ac.cn
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Yang CB
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
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浏览/下载:1262/270
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提交时间:2011/09/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin DF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Chen H
;
Hou QF
;
Deng QW
;
Bi Y
;
Kang H
;
Lin, DF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dflin@semi.ac.cn
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浏览/下载:1594/389
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提交时间:2011/09/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, ybi@semi.ac.cn
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hou QF (Hou Qi-Feng)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Xiao
;
HL (Xiao Hong-Ling)
;
Wang CM (Wang Cui-Mei)
;
Yang CB (Yang Cui-Bai)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Hou, QF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qfhou@semi.ac.cn
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提交时间:2010/05/24
采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102181921A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:
王晓峰
;
段垚
;
崔军朋
;
曾一平
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提交时间:2012/08/29
利用氧化锌提高LED光提取效率的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084159.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
刘祯
;
段垚
;
王晓峰
;
曾一平
Adobe PDF(390Kb)
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浏览/下载:1413/269
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提交时间:2011/08/31