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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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GaAs基1.5μm异变InAs量子点材料的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  王鹏飞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  鞠研玲;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  倪海桥;  黄社松;  王鹏飞;  贺继方;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈娓兮;  钟勇;  蔡兵;  赵冀徽;  焦鹏飞;  王舒民;  石志文;  高俊华
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