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Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots 会议论文
PROCEEDINGS OF THE FIFTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON QUANTUM CONFINEMENT: NANOSTRUCTURES, 98 (19), BOSTON, MA, NOV 02-05, 1998
作者:  Zhu HJ;  Wang ZM;  Sun BQ;  Feng SL;  Jiang DS;  Zheng HZ;  Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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作者:  Wang YT;  Zhuang Y;  Ma WQ;  Wang W;  Yang XP;  Chen ZG;  Jiang DS;  Zheng HZ;  Wang YT,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张耀辉;  江德生;  夏建白;  刘伟;  崔丽秋;  杨小平;  宋春英;  郑厚植;  周增圻;  林耀望
Adobe PDF(183Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:979/256  |  提交时间:2010/11/23