中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1389/189  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Ma ZY (Ma Zhiyong);  Ran JX (Ran Junxue);  Wang CM (Wang Cuimei);  Mao HL (Mao Hongling);  Tang H (Tang Han);  Li HP (Li Hanping);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Jinmin LM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1900/711  |  提交时间：2010/03/29