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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG;  Chen NF;  Yang F;  Song SL;  Chai CL;  Zhong J;  Qian HJ;  Ibrahim K;  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu LF;  Chen NF;  Song SL;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Liu, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋海鹏;  温继敏;  曾雄文;  张胜利;  孙建伟;  祝宁华
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