中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shao, Yongbo;  Zhao, Lingjuan;  Yu, Hongyan;  Pan, Jiaoqing;  Wang, Baojun;  Zhu, Hongliang;  Wang, Wei;  Shao, Y.
Adobe PDF(1645Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：927/320  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu, Yingping;  Wang, Yang;  Shao, Yongbo;  Zhou, Daibing;  Liang, Song;  Zhao, Lingjuan;  Wang, Wei;  Qiu, Y.(ypqiu@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：861/243  |  提交时间：2012/06/14
掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1393/243  |  提交时间：2011/08/31
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1224/206  |  提交时间：2011/08/31
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1260/262  |  提交时间：2011/08/31
量子点级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  刘峰奇;  卓宁;  李路;  邵烨;  刘俊岐;  张锦川;  王利军;  王占国
Adobe PDF(1623Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：976/55  |  提交时间：2014/10/29