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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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MOCVD GaN基微电子材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  冉军学
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang BZ (Wang Bao-Zhu);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Wang XH (Wang Xin-Hua);  Guo LC (Guo Lun-Chun);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Li JP (Li Jian-Ping);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Wang, BZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangbz@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ran JX;  Wang XL;  Hu GX;  Wang JX;  Li JP;  Wang CM;  Zeng YP;  Li JM;  Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jxran@red.semi.ac.cn
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The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Ran, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Li, JP;  Wang, JX;  Wang, CM;  Zeng, YP;  Li, JM;  Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Aln  Impurities  Donor