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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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GaN基薄膜芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘硕;  郭恩卿;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
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一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  孔庆峰;  郭金霞;  纪攀峰;  马平;  王文军;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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MOCVD设备的石墨托盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  纪攀峰;  孔庆峰;  王文军;  胡强;  马平;  曾一平;  王军喜;  李晋闽
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插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  郭恩卿;  伊晓燕;  刘志强;  陈宇;  王军喜;  李晋闽
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LED平板显示单元的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13, 2013-02-13
发明人:  薛斌;  杨华;  卢鹏志;  于飞;  孔庆峰;  裴艳荣;  刘立莉;  王晓桐;  王琳琳;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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