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| 用于照明的LED平面光源结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 范曼宁; 梁萌; 王国宏
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| AlGaInP基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭德博; 王国宏; 梁萌; 范曼宁
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| LED照明的LCD背光源结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 梁萌; 王国宏; 范曼宁; 郭德博
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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪 ; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领
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| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 林孟喆; 曹青; 颜庭静; 陈良惠
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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