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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| AlGaN/GaN HEMT材料及微波功率器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 罗卫军
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| 量子输运的主方程方法以及在量子点系统中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 骆钧炎
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| 半导体纳米结构的电子结构计算 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 骆军委
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 罗卫军; 陈晓娟; 李成瞻; 刘新宇; 和致经; 魏珂; 梁晓新; 王晓亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马宝珊; 王晓东 ; 骆军委; 苏付海; 方再利; 丁琨; 牛智川; 李国华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 左玉华; 毛容伟; 黄昌俊; 蔡晓; 李传波; 成步文; 罗丽萍; 高俊华; 白云霞; 姜磊; 马朝华; 王良臣; 余金中; 王启明
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