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AlGaN/GaN HEMT 电力电子器件制备与性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  林德峰
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锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陈晓锋;  陈诺夫;  吴金良;  张秀兰;  柴春林;  俞育德
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