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AlGaN/GaN HEMT 电力电子器件制备与性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  林德峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  昝育德;  王俊;  李瑞云;  韩秀峰;  王建华;  于芳;  刘忠立;  王玉田;  王占国;  林兰英
Adobe PDF(410Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1377/415  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王启元;  王俊;  韩秀峰;  邓惠芳;  王建华;  昝育德;  蔡田海;  郁元桓;  林兰英
Adobe PDF(192Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1065/293  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  昝育德;  王俊;  韩秀峰;  王玉田;  王维民;  王占国;  林兰英
Adobe PDF(262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:916/260  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王启元;  王俊;  韩秀峰;  邓惠芳;  王建华;  昝育德;  蔡田海;  郁元桓;  林兰英
Adobe PDF(199Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:890/269  |  提交时间:2010/11/23
小面积高效率非晶硅电池的研究 成果
1992
主要完成人:  廖显伯;  孔光临;  郑怀德;  李海峰;  刁宏伟
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非晶硅  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖显伯;  郑怀德;  李海峰;  刁宏伟;  熊华;  孔光临
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锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陈晓锋;  陈诺夫;  吴金良;  张秀兰;  柴春林;  俞育德
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基于两端口微腔激光器空间干涉的光学生物传感器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  林建东;  黄永箴;  杨跃德;  肖金龙;  姚齐峰;  吕晓萌;  杜云
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