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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hongwei Yan; Qi Liu; Xufang Shen; Wenlei Liu; Xin Cui; Pengfei Hu; Zhen Yuan; Lei Zhang; Changbin Song; Lili Liu ; Ying Liu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiaoli Ji; Jianchang Yan; Yanan Guo; Lili Sun; Tongbo Wei; Yun Zhang; Junxi wang; Fuhua Yang; Jin Min Li
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王军喜; 闫建昌; 郭亚楠; 张韵; 田迎冬; 朱邵歆; 陈翔; 孙莉莉; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jianchang Yan; Junxi Wang; Yun Zhang; Peipei Cong; Lili Sun; Yingdong Tian; Chao Zhao; Jinmin Li
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yingdong Tian; Jianchang Yan; Yun Zhang; Xiang Chen; Yanan Guo; Peipei Cong; Lili Sun; Qinjin Wang; Enqing Guo; Xuecheng Wei; Junxi Wang; Jinmin Li
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng Dong, Jianchang Yan, Junxi Wang, Yun Zhang, Chong Geng, Tongbo Wei, Peipei Cong, Yiyun Zhang, Jianping Zeng, Yingdong Tian, Lili Sun, Qingfeng Yan, Jinmin Li, Shunfei Fan, Zhixin Qin
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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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