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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孙莉莉; 张韵; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
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| 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 闫建昌; 王军喜; 张韵; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 田迎冬; 李晋闽
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| 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 董鹏; 王军喜; 闫建昌; 张韵; 曾建平; 孙莉莉; 李晋闽
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| 提高紫外发光二极管出光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-05
发明人: 董鹏; 王军喜; 闫建昌; 张逸韵; 孙莉莉; 曾建平; 李晋闽
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| 一种金属纳米圆环的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
发明人: 孙莉莉; 张韵; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
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