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控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  金 鹏;  陈涌海;  徐 波;  王占国 
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量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王志成;  徐波;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  石礼伟;  梁凌燕
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GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  徐波;  陈涌海;  王占国
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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
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长波长自组装InAs/GaAs 量子点材料和激光器结构生长及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  梁凌燕
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用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Xu Y (Xu Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liang LY (Liang Ling-Yan);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙殿照;  王晓亮;  李晓兵;  国红熙;  阎春辉;  李建平;  朱世荣;  李灵霄;  曾一平;  孙梅影;  侯洵
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